首届全球IC企业家大会暨IC China2018在沪开幕 中天弘宇发布“

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首届全球IC企业家大会暨IC China2018在沪开幕 中天弘宇发布“

中天弘宇集成电路有限责任公司执行董事长赵泾生在大会上说:“人类在硅晶元芯片领域进行了一项又一项发明创造,犹如打开一个个的黑匣子,除了NOR这个黑匣子以外几乎全被打开了,NOR就是我们进行创新的机会,希望把NOR闪存这扇窗变成一扇门,提高我国芯片的自主性。”

“中国闪存”的出现,对于目前市场上现有的NOR Flash是一个颠覆性的创新,它使NOR闪存芯片的记忆单元面积达到与NAND闪存一样的理论最小值,继而使芯片总面积和成本只相当于目前NOR闪存的十分之一以下,使得困扰业界多年的瓶颈得以突破。

赵泾生介绍,新一代NOR Flash读取速度更快,稳定性更好,可直接运行程序,且成本更低。此外,这款闪存可进一步走完摩尔定律,使芯片体积越来越小,功能越来越多,价格越来越低。在手机中,因NAND闪存读取速度有限,芯片一般采用NAND闪存加DRAM,若用新一代NOR闪存替代,手机的开机速度就会更快,且成本会更低。在需要快速反应的自动驾驶领域,运用新一代NOR闪存,就能更快地识别路况、障碍物等,更好地保障行车安全。

目前中天弘宇已完成1M NOR的硅验证,并成功流片,2017年开始运用在中天弘宇首颗MCU(微控制单元)产品的设计上,使芯片可在低至1V的电压下工作,低压、低功耗的特性使这款MUC在物联网应用领域大有可为。

“中国闪存”凭借着强大的性能和价格优势,拥有广阔的市场前景,不但可对现有使用传统NOR闪存的产品进行升级换代,还可以1G、2G、4G闪存进入中低端功能手机、智能电视、机顶盒、国产平板等消费类智能电子产品及汽车市场中。随着进一步研发及工艺的优化,新一代NOR闪存将触及NAND闪存的海量存储芯片市场,并将拓展至人工智能领域。赵泾生说:“希望和上下游合作伙伴一起进行制造和工艺攻关,迈出中国闪存更大的一步,提升我国芯片自主化水平。”

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