环球晶携手交大,开发碳化硅等半导体材料技术

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环球晶携手交大,开发碳化硅等半导体材料技术

半导体硅芯片厂环球晶近日与国立交通大学签署备忘录,将共同成立化合物半导体研究中心,开发包括碳化硅(SiC)等第三代半导体材料技术。

交大代理校长陈信宏表示,SiC和氮化镓(GaN)是非常具有发展前景的半导体材料,在5G、电动汽车等应用上,是相当重要的成功关键。

陈信宏指出,交大结合多所学校相关研究的教授群,以化合物半导体材料研究和人才培育计划为主轴,与环球晶共同合作加速开发SiC和GaN,创建产学互馈循环机制,并培育国际级研发团队,以便提升台湾半导体产业在全球的竞争实力。

环球晶表示,在SiC和GaN领域已深耕多年,并开发多项专利,具有完整的生产线,这次与交大合作,希望结合各自的专业领域与技术优势加速发展,创造运营增长新契机。

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