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武汉新芯申请键合方法及晶圆堆叠结构、芯片结构专利，可维持键合后的多层堆叠结构在较高良率

金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“键合方法及晶圆堆叠结构、芯片结构”的专利，公开号 CN 119650511 A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本申请提供了一种键合方法及晶圆堆叠结构、芯片结构。所述键合方法包括提供至少一第一晶圆堆叠结构，对所述第一晶圆堆叠结构中的每个芯片区域进行测试；其中，所述第一晶圆堆叠结构包括多个键合在一起的第一晶圆；切割所述第一晶圆堆叠结构，形成与所述芯片区域对应的芯片；将所述测试确定的功能良好的所述芯片与第二晶圆键合。该方法筛选测试后确定功能良好的较少层芯片再进行进一步堆叠，键合后的多层堆叠结构可维持在较高的良率，既实现了性能，又减少了损耗。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币，实缴资本578214.4726万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目209次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1725条，此外企业还拥有行政许可105个。

本文源自：金融界

作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端

2025 03/22 13:15 瘦子财经 明珠号

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武汉新芯申请键合方法及晶圆堆叠结构、芯片结构专利，可维持键合后的多层堆叠结构在较高良率

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