扬杰科技获得实用新型专利授权：“集成肖特基二极管的SiCUMOSFET”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“集成肖特基二极管的SiCUMOSFET”，专利申请号为CN202421473401.4，授权日为2025年4月4日。

专利摘要：集成肖特基二极管的SiC UMOSFET，涉及半导体技术领域。利用第一沟槽区的重掺杂P+区实现对第二沟槽区栅氧化层的保护，通过P+区与N型漂移层之间的空间耗尽层来降低沟槽栅氧底部拐角的电场集中，避免了栅氧化层的早期击穿失效，从而提高栅氧化层的使用可靠性，并且本实用新型在第一沟槽区的侧壁集成了肖特基二极管（SBD）结构，从而在器件续流过程中，将原本PN结体二极管续流改为SBD续流，避免了P区空穴进入到N型漂移层中，避免了器件的双极退化效应发生，提高器件的长期使用可靠性。

今年以来扬杰科技新获得专利授权27个，较去年同期增加了17.39%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。

数据来源：天眼查APP

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