江宁开发区加速布局第三代半导体产业

产业迭代期，“开道超车”机遇来了

长期以来，半导体产业关键核心技术缺失，是阻碍我国产业链向高端攀升的“绊脚石”。

据了解，第一代半导体材料主要指硅、锗半导体材料，兴起于20世纪50年代，带动了以集成电路为核心的微电子产业快速发展。

第二代半导体材料是以砷化镓、锑化铟为主的化合物半导体，主要用于制作高频、高速以及大功率电子器件。

第三代半导体材料包括以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带化合物半导体。

目前，第一代、第二代半导体材料工艺已经逐渐接近物理极限，与之相比，第三代半导体材料在耐高温、耐高压以及承受大电流等多个方面具备明显优势，被称为“未来电子产业基石”，也被资本市场视为科创板“新质生产力”，在新能源汽车、光伏、轨道交通、高压输变电、智能电网等方面有广阔的应用前景。

在第一代、第二代半导体材料发展上，我国起步时间慢于其他国家，且“弯道超车”难度很大。但在第三代半导体材料领域，国内外企业处于同一起跑线，在第三代半导体的全新跑道上“开道超车”，是中国业界的愿景。

为实现产业破局，2021年3月，科技部、财政部批复，按照“1总部+6中心”（即中电科集团+北京、南京、苏州、深圳、长沙、太原）的模式建设“国家第三代半导体技术创新中心”。其中，国家第三代半导体技术创新中心（南京）（以下简称南京中心）落户江宁开发区，聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向重点突破。

南京中心依托55所现有资源，在省市区各级政府部门支持下取得一系列技术成果：碳化硅电力电子器件已经在国内头部车企车载电源系统获得大批量应用，装载上车超1000万只，保障近200万辆汽车需求；功率模块拟用于红旗首款电驱车型，有望2024年正式装车。在高压和特高压SiC器件方向，南京中心不断刷新纪录，比如国内首只6.5kV和15kV碳化硅芯片，20kV碳化硅大功率模块，在国际首个35kV全碳化硅变电站等场景示范应用。