铠侠申请半导体存储装置及半导体存储装置的加热方法专利，能够延长产品寿命

金融界 2025 年 3 月 27 日消息，国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的加热方法”的专利，公开号 CN 119677117 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，一个实施方式提供能够延长产品寿命的半导体存储装置及半导体存储装置的加热方法。一个实施方式的半导体存储装置具有基板、密封构件、第 1 存储芯片以及非信号布线。所述非信号布线设置于所述密封构件的表面、所述密封构件的内部、所述基板的第 1 面、所述基板的内部、以及所述第 1 存储芯片的表面中的一者以上，在从第 1 方向观察的情况下与所述第 1 存储芯片重叠。所述非信号布线具有与电力供给部电连接的第 1 端、与接地电连接的第 2 端、以及将所述第 1 端与所述第 2 端连接的布线主体。所述布线主体包括：在与所述第 1 方向交叉的第 2 方向上延伸的第 1 部分、从所述第 1 部分的端折回的第 2 部分、以及从所述第 2 部分的端折回的第 3 部分。

本文源自：金融界